RFTYTマイクロストリップ減衰器 | |||||||
力 | 周波数範囲 (GHz) | 基板寸法 (んん) | 材料 | 減衰値 (dB) | データシート (PDF) | ||
W | L | H | |||||
2W | DC-12.4 | 5.2 | 6.35 | 0.5 | Al2O3 | 01-10、15、20、25、30 | RFTXXA-02MA5263-12.4 |
DC-18.0 | 4.4 | 3.0 | 0.38 | Al2O3 | 01-10 | RFTXXA-02MA4430-18 | |
4.4 | 6.35 | 0.38 | Al2O3 | 15、20、25、30 | RFTXXA-02MA4463-18 | ||
5W | DC-12.4 | 5.2 | 6.35 | 0.5 | BeO | 01-10、15、20、25、30 | RFTXX-05MA5263-12.4 |
DC-18.0 | 4.5 | 6.35 | 0.5 | BeO | 01-10、15、20、25、30 | RFTXX-05MA4563-18 | |
10W | DC-12.4 | 5.2 | 6.35 | 0.5 | BeO | 01-10、15、20、25、30 | RFTXX-10MA5263-12.4 |
DC-18.0 | 5.4 | 10.0 | 0.5 | BeO | 01-10、15、17、20、25、27、30 | RFTXX-10MA5410-18 | |
20W | DC-10.0 | 9.0 | 19.0 | 0.5 | BeO | 01-10、15、20、25、30、36.5、40、50 | RFTXX-20MA0919-10 |
DC-18.0 | 5.4 | 22.0 | 0.5 | BeO | 01-10、15、20、25、30、35、40、50、60 | RFTXX-20MA5422-18 | |
30W | DC-10.0 | 11.0 | 32.0 | 0.7 | BeO | 01-10、15、20、25、30 | RFTXX-30MA1132-10 |
50W | DC-4.0 | 25.4 | 25.4 | 3.2 | BeO | 03、06、10、15、20、30 | RFTXX-50MA2525-4 |
DC-6.0 | 12.0 | 40.0 | 1.0 | BeO | 01-30、40、50、60 | RFTXX-50MA1240-6 | |
DC-8.0 | 12.0 | 40.0 | 1.0 | BeO | 01-30、40 | RFTXX-50MA1240-8 |
マイクロストリップ減衰器は減衰チップの一種です。いわゆる「スピンオン」という取り付け構造です。このタイプの減衰チップを使用するには、基板の両側に配置される円形または正方形のエア カバーが必要です。
基板の長さ方向の両側にある 2 つの銀の層は接地する必要があります。
使用中、当社はお客様にさまざまなサイズと頻度のエアカバーを無料で提供できます。
ユーザーはエアカバーのサイズに応じてスリーブを加工でき、スリーブの接地溝は基板の厚さより広くなければなりません。
次に、導電性の弾性エッジを基板の 2 つの接地エッジに巻き付け、スリーブに挿入します。
スリーブ外周にはパワーに合わせたヒートシンクを装着。
両側のコネクタはネジでキャビティに接続されており、コネクタと回転するマイクロストリップ減衰板との接続は減衰板の側端に弾性接触する弾性ピンで行われています。
ロータリーマイクロストリップアッテネータは、すべてのチップの中で最も高い周波数特性を備えた製品であり、高周波アッテネータを作成する場合の主な選択肢です。
マイクロストリップ減衰器の動作原理は、主に信号減衰の物理的メカニズムに基づいています。適切な材料を選択し構造を設計することにより、チップ内での送信中にマイクロ波信号を減衰させます。一般に、減衰チップは吸収、散乱、反射などの方法を使用して減衰を実現します。これらのメカニズムは、チップの材料と構造のパラメータを調整することによって、減衰と周波数応答を制御できます。
マイクロストリップ減衰器の構造は通常、マイクロ波伝送線路とインピーダンス整合ネットワークで構成されます。マイクロ波伝送路は信号伝送路であり、伝送損失や反射減衰量などを設計時に考慮する必要があります。インピーダンス整合ネットワークを使用して信号を完全に減衰させ、より正確な減衰量を提供します。
当社が提供するマイクロストリップアッテネータは、減衰量が一定であり安定性と信頼性があり、頻繁な調整が必要ない状況でもご使用いただけます。固定減衰器は、レーダー、衛星通信、マイクロ波測定などのシステムで広く使用されています。