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A6 RF可変減衰器 RF減衰器
仕様 モデル 周波数範囲 減衰量とVSWR 挿入損失 減衰許容値 GHz ステップ（最大） dB（最大） dB RKTXX-2-69-8.0-A6 DC-8.0 0-69dB 1dB ステップ 1.5 1 ±0.5dB(0～9dB) ±1.0dB(10～19dB) ±1.5dB(20～49dB) ±2.0dB(50～69dB) RKTXX-2-69-12.4-A6 DC-12.4 1.6 1.25 ±0.8dB(0～9dB) ±1.0dB(10～19dB) ±1.5dB(20～49dB) RKTXX-2-69-18.0-A6 DC-18.0 1.75 1.5 ±2.0dB(50～69dB) RKTXX-2-69-26.5-A6 DC-26.5 2 2 ±1.5dB(0～9dB) ±1.75dB(10～19dB) ±2.0dB(20～49dB) ±2.5dB(50～69dB) RK... -
RFTXX-05TA7265-18 スリーブ付きマイクロストリップ減衰器 DC～18.0 GHz RF減衰器
型番 RFTXX-05TA7265-18 (XX=減衰値) 抵抗範囲 50 Ω 周波数範囲 DC~18.0 GHz 電力 5 W 減衰量(dB) 01-10/11-20/21-30 減衰許容値(dB) ±0.7/±0.8/±1.0 VSWR 1.25 タイプ 1.3 最大 温度係数 <150ppm/℃ 基板材料 BeO スリーブ材料 Al (導電性酸化物) 抵抗プロセス 厚膜 動作温度 -55 ～ +125℃ (電力ディレーティングを参照) RoHS 準拠 はい 外形図 (単位: mm/インチ) 直径許容値... -
RFTXXA-02TA7265-12.4 マイクロストリップ減衰器（スリーブ付き）DC～12.4GHz RF減衰器
外形図（単位：mm/インチ） 直径公差：±0.05、長さ公差：±0.05 標準性能： 1dBグラフ 3dBグラフ 5dBグラフ 7dBグラフ 9dBグラフ 20dBグラフ 2dBグラフ 4dBグラフ 6dBグラフ 8dBグラフ 10dBグラフ 30dBグラフ 設置方法 電力ディレーティング P/N 指定 注意 ■放熱を確保するため、キャビティとヒートシンクはしっかりと接続する必要があります。 ■Sパラメータを確保するため、良好な接地が必要です。 ■図面の要件を満たすため、ラジアル... -
RFTXX-05MA5263-12.4 マイクロストリップ減衰器 DC～12.4GHz RF減衰器
型番 RFTXX-05MA5263-12.4 (XX=減衰値) 公称抵抗 50 Ω 周波数範囲 DC～12.4GHz 定格電力 5 W 減衰量 01-10dB/11-20dB/21-30dB 減衰許容差 ±0.6dB/±0.7dB/±1.0dB VSWR 1.25タイプ 1.3最大 温度係数 <150ppm/℃ 基板材料 BeO 抵抗プロセス 厚膜 動作温度 -55～+150℃ (参考電力ディレーティング図) 外形図 (単位: mm/インチ) 注: 1.お客様のご要望に応じて、... -
RFTXXA-02MA4463-18 マイクロストリップ減衰器 DC～18.0GHz RF減衰器
型番 RFTXXA-02MA4463-18 (XX=減衰値) 公称抵抗 50 Ω 周波数範囲 DC~18.0GHz 定格電力 2 W 減衰量 15、20、25、30dB 減衰許容差 ±1.0dB VSWR 1.30 最大 温度係数 <150ppm/℃ 基板材料 Al2O3 抵抗プロセス 厚膜 動作温度 -55 ～ +150℃ (参考電力ディレーティング図) 外形図 (単位: mm/インチ) 注: 1.このサイズは15～30dBに制限されています。より小さい減衰値の場合、長さ... -
RFTXX-1000FF3849-DINK-3 同軸固定減衰器 DC～3.0GHz RF減衰器
型番 RFTXX-1000FF3849-DINK-3 (XX=減衰器値) 周波数範囲 DC~3.0GHz VSWR 1.35 最大電力 1000 W インピーダンス 50 Ω 減衰量 20dB/30、40、50dB 減衰許容値 ±3.5dB/±3.0dB コネクタ DIN-K(F)/ DIN-K(F) 寸法 110×380×535mm 動作温度 -55 ~ +125°C (電力ディレーティングを参照) 重量 約17.6 Kg ROHS準拠 はい 命名規則 電力ディレーティンググラフ 使用上の注意 1、寸法許容値 ±3%; 2、必要に応じて、製品を空冷してください... -
RFTXX-50RA3873-SMA-8 同軸固定アッテネータ DC～8.0GHz RFアッテネータ
型番 RFTXX-50RA3873-SMA-8 (XX=減衰器値) 周波数範囲 DC~8.0GHz VSWR 1.25 最大電力 50 W インピーダンス 50 Ω 減衰量 01-10dB/11-20dB/25、30dB/40、50、60dB 減衰許容値 ±0.8dB/±1.0dB/±1.1dB/±1.3dB コネクタ SMA-J(M)/SMA-K(F) 寸法 Φ38×104.5mm 動作温度 -55 ~ +125°C (電力ディレーティングを参照) 重量 約200 g ROHS準拠 はい 外形図 (単位: mm/インチ) コネクタはSMA-M to SMA-MまたはSMA-F to SMA-Fに変更可能 名称... -
RFTXX-10AM7750B-4 フランジ付きアッテネータ DC～4.0GHz RFアッテネータ
型番 RFTXX-10AM7750B-4 (XX=減衰値) インピーダンス 50 Ω 周波数範囲 DC~4.0GHz VSWR 最大 1.20 定格電力 10 W 減衰値(dB) 0.5/01、02、03、04、07、10/11 減衰許容値(dB) -0.2 / +0.8/±0.6/±0.8 温度係数 <150ppm/℃ 基板材料 BeO 磁器 ハット材料 Al2O3 フランジ ニッケルメッキ銅 鉛 99.99% スターリングシルバー 抵抗技術 厚膜 動作温度 -55 ～ +150℃ (電力ディレーティングを参照) 外形... -
RFTXXA-05AM1104-3 フランジ付き減衰器 DC～3.0GHz RF減衰器
型番 RFTXXA-05AM1104-3 (XX=減衰値) インピーダンス 50 Ω 周波数範囲 DC~3.0GHz VSWR 最大 1.20 定格電力 5 W 減衰値(dB) 01-10/15、17、20/25、30 減衰許容値(dB) ±0.6/±0.8/±1.0 温度係数 <150ppm/℃ 基板材料 Al2O3 磁器 ハット材料 Al2O3 フランジ ニッケルメッキ銅 鉛 99.99% スターリングシルバー 抵抗技術 厚膜 動作温度 -55 ～ +150°C (電力ディレーティングを参照) 外形図 (Un... -
RFTXX-30AM0606-6 リード付きアッテネータ DC～6.0GHz RFアッテネータ
型番 RFTXX-30AM0606-6 (XX=減衰値) インピーダンス 50 Ω 周波数範囲 DC~6.0GHz VSWR 1.25 最大 定格電力 30 W 減衰値(dB) 01-10dB/15、20dB/25、30dB 減衰許容値(dB) ±0.6dB/±0.8dB/±1.0dB 温度係数 <150ppm/℃ 基板材料 BeO 磁器 ハット材料 Al2O3 鉛 99.99% スターリングシルバー 抵抗技術 厚膜 動作温度 -55 ～ +150℃ (電力ディレーティングを参照) 外形図 (単位: mm/インチ) 鉛 l... -
RFTXX-10AM2505B-4 リード付きアッテネータ DC～4.0GHz RFアッテネータ
型番 RFTXX-10AM2505B-4 (XX=減衰値) インピーダンス 50 Ω 周波数範囲 DC~4.0GHz VSWR 最大 1.20 定格電力 10 W 減衰値(dB) 0.5/01、02、03、04、07、10/11 減衰許容値(dB) -0.2+0.8/±0.6/±0.8 温度係数 <150ppm/℃ 基板材料 BeO 磁器 ハット材料 Al2O3 鉛 99.99% スターリングシルバー 抵抗技術 厚膜 動作温度 -55 ～ +150℃ (電力ディレーティングを参照) 外形図 (単位: mm/インチ) Lea... -
RFTXXN-10CA5025C-3 チップアッテネータ DC～3.0GHz RFアッテネータ
型番 RFTXXN-10CA5025C-3 (XX=減衰値) 抵抗範囲 50 Ω 周波数範囲 DC～3.0GHz VSWR 1.25 最大電力 10 W 減衰値(dB) 01-10dB/11-20dB/21-30dB 減衰許容値(dB) ±0.6dB/±0.8dB/±1.0dB 温度係数 <150ppm/℃ 基板材料 AlN 抵抗技術 厚膜 動作温度 -55～+150℃ (電力ディレーティングを参照) 標準性能: 2dBグラフ 20dBグラフ 6dBグラフ 30dBグラフ 設置方法...
