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同軸固定減衰器
同軸アッテネータは、同軸伝送線路における信号電力を低減するために使用される装置です。信号強度の制御、信号歪みの防止、および過大な電力から高感度部品を保護するために、電子機器や通信システムで一般的に使用されています。
同軸アッテネータは一般的に、コネクタ（通常はSMA、N、4.30-10、DINなどを使用）、減衰チップまたはチップセット（フランジタイプ：通常は低周波数帯域での使用に選択され、回転タイプはより高い周波数を実現できる）、ヒートシンク（異なる電力減衰チップセットを使用するため、発生する熱はそれ自体では放熱できないため、チップセットに放熱面積を大きくする必要があります）で構成されています。放熱性に優れた素材を使用することで、減衰器の動作安定性を向上させることができます。
ご要望に応じてカスタムデザインも承ります。
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A5 RF可変減衰器 DC-26.5GHz RF減衰器
仕様 モデル周波数レンジ減衰量とVSWR挿入損失減衰許容値GHzステップ（最大）dB（最大）dBRKTX2-1-9-8.0-A5 DC-8.0 0-9dB 1.4 0.8 ±0.6 RKTX2-1-9-12.4-A5 DC-12.4 1dBステップ 1.5 1 ±0.8 RKTX2-1-9-18.0-A5 DC-18.0 1.6 1.2 ±1.0 RKTX2-1-9-26.5-A5 DC-26.5 1.75 1.8 ±1.0 RKTX2-1-90-8.0-A5 DC-8.0 0-90dB 1.4 1 ±1.5（10-60dB）RKTX2-1-90-12.4-A5 DC-12.4 10dBステップ 1.5 1.2 ±2.5または3.5%(70-90dB) RKTX2-1-90-18.0-A5 DC-18.0 1.6 1.5 RKTX10-1-9-8.0-A5 DC-8.0 0-9dB 1.4 ... -
A2 RF可変減衰器 DC-6.0GHz RF減衰器
仕様 モデル周波数範囲 減衰 VSWR 挿入損失 減衰許容値 GHz & ステップ (最大) dB(最大) dB SMA N RKTXX-2-11-2.5-A2 DC-2.5 0-11dB 1.3 1.45 1 ±0.2＜1dB、±0.4≥1dB RKTXX-2-11-3.0-A2 DC-3.0 0.1dB ステップ 1.35 1.45 1.2 ±0.3＜1dB、±0.5≥1dB RKTXX-2-11-4.3-A2 DC-4.3 1.4 1.55 1.5 RKTXX-2-11-6.0-A2 DC-6.0 1.55 1.6 1.8 RKTXX-2-50-2.5-A2 DC-2.5 0-50dB 1.3 1.35 1 ±0.5(≤10dB) 1dBステップ ±3%(≤50dB) RKTXX-2-70-2.5-A2 DC-2.5 0-70dB 1.3 1.45 1 ±0.5(≤10dB) RKTXX-2-70-... -
RFTXX-30TA1432-10 スリーブ付きマイクロストリップ減衰器 DC～10.0 GHz RF減衰器
型番 RFTXX-30TA1432-10 (XX=減衰値) 抵抗範囲 50 Ω 周波数範囲 DC～10.0 GHz 電力 30 W 減衰量(dB) 01-10/11-20/21-30/40、50、60 減衰許容差(dB) ±0.5/±0.6/±1.0/±1.2 VSWR 1.25タイプ 1.3最大 温度係数 <150ppm/℃ 基板材料 BeO スリーブ材料 Al (導電性酸化物) 抵抗プロセス 厚膜 動作温度 -55～+125℃ (電力ディレーティングを参照) RoHS準拠 はい 外形図 (単位: mm/インチ) ... -
RFTXX-20TA1419-10 スリーブ付きマイクロストリップ減衰器 DC～10.0 GHz RF減衰器
型番 RFTXX-20TA1419-10 (XX=減衰値) 抵抗範囲 50 Ω 周波数範囲 DC～10.0 GHz 電力 20 W 減衰量(dB) 01-10/11-20/21-30/40、50 減衰許容差(dB) ±0.5/±0.6/±1.0/±1.2 VSWR 1.25タイプ 1.3最大 温度係数 <150ppm/℃ 基板材料 BeO スリーブ材料 Al (導電性酸化物) 抵抗プロセス 厚膜 動作温度 -55～+125℃ (電力ディレーティングを参照) RoHS準拠 はい 外形図 (単位: mm/インチ) ... -
RFTXX-30MA1132-10 マイクロストリップ減衰器 DC～18GHz RF減衰器
型番 RFTXX-30MA1132-18 (XX=減衰値) 公称抵抗 50 Ω 周波数範囲 DC~18GHz 定格電力 30 W 減衰量 01-10dB/11-20dB/21-30dB 減衰許容差 ±0.5dB/±0.6dB/±1.0dB VSWR 1.25タイプ 1.30最大 温度係数 <150ppm/℃ 基板材料 BeO 抵抗プロセス 厚膜 動作温度 -55～+150℃ (参考電力ディレーティング図) 外形図 (単位: mm/インチ) 注: 1.お客様のご要望に応じて、... -
RFTXX-20MA5422-18 マイクロストリップ減衰器 DC～18GHz RF減衰器
型番 RFTXX-20MA5422-18 (XX=減衰値) 公称抵抗 50 Ω 周波数範囲 DC~18GHz 定格電力 20 W 減衰量 01-10dB/11-20dB/21-30dB/35、40、50、60dB 減衰許容差 ±0.5dB/±0.6dB/±1.0dB/±1.5dB VSWR 1.25タイプ 1.3最大 温度係数 <150ppm/℃ 基板材料 BeO 抵抗プロセス 厚膜 動作温度 -55～+150℃ (参考電力ディレーティング図) 外形図 (単位: mm/インチ) 注: 1.お客様が必要とする場合、... -
RFTXX-10MA5410-18 マイクロストリップ減衰器 DC～18GHz RF減衰器
型番 RFTXX-10MA5410-18 (XX=減衰値) 公称抵抗 50 Ω 周波数範囲 DC~18GHz 定格電力 10 W 減衰量 01-10dB/11-20dB/21-30dB 減衰許容差 ±0.5dB/±0.6dB/±1.0dB VSWR 1.25タイプ 1.3最大 温度係数 <150ppm/℃ 基板材料 BeO 抵抗プロセス 厚膜 動作温度 -55～+150℃ (参考電力ディレーティング図) 外形図 (単位: mm/インチ) 注: 1.お客様のご要望に応じて、... -
RFTXX-50RA3810-N-18 同軸固定アッテネータ DC～18.0GHz RFアッテネータ
型番 RFTXX-50RA3810-N-18 (XX=減衰器値) 周波数範囲 DC~18.0GHz VSWR 1.40 最大電力 50 W インピーダンス 50 Ω 減衰量 3、6、10、20、30、40dB 減衰許容値 -1.5dB/+2.5dB コネクタ NJ(M)/NK(F) 寸法 Φ38×136.5mm 動作温度 -55 ~ +125°C (電力ディレーティングを参照) 重量 約220 g ROHS準拠 はい リフロープロファイル コネクタはSMA、N MM、FFのいずれか、または2つを自由に組み合わせることができます 命名規則 電力ディレーティング 減衰器値の使用... -
RFTXX-50FA5070B-SMA-6 同軸固定アッテネータ DC～6.0GHz RFアッテネータ
型番 RFTXX-50FA5070B-SMA-6 (XX=減衰器値) 周波数範囲 DC~6.0GHz VSWR 1.20 最大電力 50 W インピーダンス 50 Ω 減衰量 01-10dB/11-20dB/25、30、40dB/50、60dB 減衰許容値 ±0.6dB/±0.8dB/±1.0dB/±1.2dB コネクタ SMA-J(M)/SMA-K(F) 寸法 50.0×101.0×40.0mm 動作温度 -55 ~ +125°C (電力ディレーティングを参照) 重量 約300 g ROHS準拠 はい リフロープロファイル コネクタはDIN、4.3-10 MM、FFのいずれか、または2つを自由に組み合わせることができます。 -
RFTXX-50FA5070-N-6 同軸固定減衰器 DC～6.0GHz RF減衰器
型番 RFTXX-50FA5070-N-6 (XX=減衰器値) 周波数範囲 DC~6.0GHz VSWR 1.20 最大電力 50 W インピーダンス 50 Ω 減衰量 01-10dB/11-20dB/21-40dB/50、60dB 減衰許容値 ±0.6dB/±0.8dB/±1.0dB/±1.2dB コネクタ NJ(M)/NK(F) 寸法 50.0×109.4×40.0mm 動作温度 -55 ~ +125°C (電力ディレーティングを参照) 重量 約180 g ROHS準拠 はい リフロープロファイル コネクタはN MMまたはFFのいずれかです 命名規則 電力ディレーティング 使用上の注意 1、寸法 T... -
RFTXX-60AM1363C-3 フランジ付き減衰器 DC～3.0GHz RF減衰器
型番 RFTXX-60AM1363C-3 (XX=減衰値) インピーダンス 50 Ω 周波数範囲 DC~3.0GHz VSWR 1.25 最大 定格電力 60 W 減衰値(dB) 01、02、03、04、08/16/20 減衰許容値(dB) ±0.6/±0.8/±1.0 温度係数 <150ppm/℃ 基板材料 BeO 磁器 ハット材料 Al2O3 フランジ ニッケルメッキ銅 鉛 99.99% スターリングシルバー 抵抗技術 厚膜 動作温度 -55 ～ +150°C (電力ディレーティングを参照) 外形図 (Un...
