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RFT20N-60AM1663-6 フランジ付き減衰器 DC～6.0GHz RF減衰器
型番 RFT20N-60AM1663-6 (XX=減衰値) インピーダンス 50 Ω 周波数範囲 DC~6.0GHz VSWR 1.25 最大 定格電力 60 W 減衰値(dB) 20 減衰許容値(dB) ±0.8 温度係数 <150ppm/℃ 基板材料 AlN 磁器 ハット材料 Al2O3 フランジ ニッケルメッキ銅 リード 99.99% スターリングシルバー 抵抗技術 厚膜 動作温度 -55 ～ +150℃ (電力ディレーティングを参照) 外形図 (単位: mm/インチ) リード長 約... -
RFTXX-60AM1606-6 フランジ付き減衰器 DC～6.0GHz RF減衰器
型番 RFTXX-60AM1606-6 (XX=減衰値) インピーダンス 50 Ω 周波数範囲 DC~6.0GHz VSWR 最大 1.25 定格電力 60 W 減衰値(dB) 1-10/15、20/25、30 減衰許容値(dB) ±0.6/±0.8/±1.0 温度係数 <150ppm/℃ 基板材料 BeO 磁器 ハット材料 Al2O3 フランジ ニッケルメッキ銅 鉛 99.99% スターリングシルバー 抵抗技術 厚膜 動作温度 -55 ～ +150℃ (電力ディレーティングを参照) 外形図 (単位: mm/... -
RFTXXN-100AJ8957-3 リード付きアッテネータ DC～3.0GHz RFアッテネータ
型番 RFTXXN-100AJ8957-3 (XX=減衰値) インピーダンス 50 Ω 周波数範囲 DC~3.0GHz VSWR 1.20 最大 定格電力 100 W 減衰値 13、20、30dB 減衰許容値 ±1.0dB 温度係数 <150ppm/℃ 基板材料 AlN 磁器 ハット材料 中鉛 99.99% スターリングシルバー 抵抗技術 厚膜 動作温度 -55 ～ +150℃ (電力ディレーティングを参照) 外形図 (単位: mm/インチ) リード線の長さは、仕様に応じてカスタマイズ可能です。 -
マイクロストリップ減衰器
マイクロストリップ減衰器は、マイクロ波周波数帯域内で信号減衰の役割を果たすデバイスです。これを固定減衰器として用いることで、マイクロ波通信、レーダーシステム、衛星通信などの分野で広く利用され、回路に制御可能な信号減衰機能を提供します。マイクロストリップ減衰器チップは、一般的に使用されるパッチ減衰チップとは異なり、入力から出力までの信号減衰を実現するために、同軸接続を使用して特定のサイズのエアフードに組み立てる必要があります。
ご要望に応じてカスタムデザインも承ります。
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RFT20N-60AM6363-6 リード付きアッテネータ DC～6.0GHz RFアッテネータ
型番 RFT20N-60AM6363-6 (XX=減衰値) インピーダンス 50 Ω 周波数範囲 DC~6.0GHz VSWR 最大 1.25 定格電力 60 W 減衰値 20dB 減衰許容値 ±0.8 dB 温度係数 <150ppm/℃ 基板材料 AlN 磁器 ハット材料 Al2O3 リード 99.99% スターリングシルバー 抵抗技術 厚膜 動作温度 -55 ～ +150℃ (電力ディレーティングを参照) 外形図 (単位: mm/インチ) リードの長さはお客様のご要望に応じてカスタマイズ可能です... -
RFTXX-60AM6363B-3 リード付きアッテネータ DC～3.0GHz RFアッテネータ
型番 RFTXX-60AM6363B-3 (XX=減衰値) インピーダンス 50 Ω 周波数範囲 DC~3.0GHz VSWR 最大 1.25 定格電力 60 W 減衰値 01-10dB/16dB/20dB 減衰許容値 ±0.6dB/±0.8dB/±1.0dB 温度係数 <150ppm/℃ 基板材料 BeO 磁器 ハット材料 Al2O3 鉛 99.99% スターリングシルバー 抵抗技術 厚膜 動作温度 -55 ～ +150℃ (電力ディレーティングを参照) 外形図 (単位: mm/インチ) リード線の長さは cu... -
RFTXXA-05AM0404-3 リード付きアッテネータ DC～3.0GHz RFアッテネータ
型番 RFTXXA-05AM0404-3 (XX=減衰値) インピーダンス 50 Ω 周波数範囲 DC~3.0GHz VSWR 最大 1.20 定格電力 5 W 減衰値(dB) 01-10/15、17、20/25、30 減衰許容値(dB) ±0.6/±0.8/±1.0 温度係数 <150ppm/℃ 基板材料 Al2O3 磁器 ハット材料 Al2O3 鉛 99.99% スターリングシルバー 抵抗技術 厚膜 動作温度 -55 ～ +150℃ (電力ディレーティングを参照) 外形図 (単位: mm/インチ) リード長 ... -
RFTXX-60CA6363B-3 チップアッテネータ DC～3.0GHz RFアッテネータ
型番 RFTXX-60CA6363B-3 (XX=減衰値) 抵抗範囲 50 Ω 周波数範囲 DC～3.0GHz VSWR 1.25 最大 電力 60 W 減衰値(dB) 01-10dB/11-20dB/21-30dB 減衰許容値(dB) ±0.6dB/±0.8dB/±1.0dB 温度係数 <150ppm/℃ 基板材料 BeO 抵抗技術 厚膜 動作温度 -55～+150℃ (電力ディレーティングを参照) 設置方法 電力ディレーティング リフローはんだ付け時間と温度図 P/N 指定 ... -
RFTXXN-20CA5025C-3 チップアッテネータ DC～3.0GHz RFアッテネータ
型番 RFTXXN-20CA5025C-3 (XX=減衰値) 抵抗範囲 50 Ω 周波数範囲 DC～3.0GHz VSWR 1.25 最大 電力 20 W 減衰値(dB) 01-10dB/11-20dB/21-30dB 減衰許容値(dB) ±0.6dB/±0.8dB/±1.0dB 温度係数 <150ppm/℃ 基板材料 AlN 抵抗技術 厚膜 動作温度 -55～+150℃ (電力ディレーティングを参照) 標準性能: 2dBグラフ 20dBグラフ 6dBグラフ 30dBグラフ 設置方法... -
RFTXXN-10CA5025C-6 チップアッテネータ DC～6.0GHz RFアッテネータ
型番 RFTXXN-10CA5025C-6 (XX=減衰値) 抵抗範囲 50 Ω 周波数範囲 DC～6.0GHz VSWR 1.25 最大 電力 10 W 減衰値(dB) 01-10dB/11-20dB 減衰許容値(dB) ±0.6dB/±0.8dB 温度係数 <150ppm/℃ 基板材料 AlN 抵抗技術 厚膜 動作温度 -55～+150℃ (電力ディレーティングを参照) 標準性能: 6dBグラフ 20dBグラフ 設置方法 電力ディレーティング リフローはんだ付け時間 & ... -
スリーブ付きマイクロストリップ減衰器
スリーブ付きマイクロストリップ減衰器とは、特定の減衰値を持つらせん状のマイクロストリップ減衰チップを、特定のサイズの金属製円形チューブに挿入したものを指します（チューブは一般的にアルミニウム製で、導電性酸化処理が必要であり、必要に応じて金や銀でメッキすることもできます）。
ご要望に応じてカスタムデザインも承ります。
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チップ減衰器
チップアッテネータは、無線通信システムやRF回路で広く使用されているマイクロ電子デバイスです。主に回路内の信号強度を弱め、信号伝送電力を制御し、信号の調整や整合機能を実現するために使用されます。
チップ型減衰器は、小型化、高性能、広帯域、調整可能性、信頼性といった特徴を備えている。
ご要望に応じてカスタムデザインも承ります。
