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RFTXXN-20CA5025C-3 チップアッテネータ DC~3.0GHz RFアッテネータ


  • モデル:RFTXXN-20CA5025C-3(XX=減衰値)
  • 抵抗範囲:50Ω
  • 周波数範囲:DC~3.0GHz
  • VSWR:最大1.25
  • 力:20W
  • 減衰値(dB):01-10dB/11-20dB/21-30dB
  • 減衰許容値(dB):±0.6dB/±0.8dB/±1.0dB
  • 温度係数: <150ppm>
  • 基材:AlN
  • 抵抗技術:厚膜
  • 動作温度:-55~+150℃(電力低下に関する項を参照)
  • 製品詳細

    商品タグ

    モデル RFTXXN-20CA5025C-3(XX=減衰値)
    抵抗範囲 50Ω
    周波数範囲 DC~3.0GHz
    VSWR 最大1.25
    20W
    減衰値(dB) 01-10dB/11-20dB/21-30dB
    減衰許容値(dB) ±0.6dB/±0.8dB/±1.0dB
    温度係数 <150ppm/℃
    基材 AlN
    抵抗技術 厚膜
    動作温度 -55~+150℃(電力低下に関する項を参照)

    標準的な性能:

    2dBグラフ

    じくふ3

    20dBグラフ

    jikjf5

    6dBグラフ

    jikjf4

    30dBグラフ

    jikjf6

    インストール方法

    出力低下

    gfhv
    vbgm

    リフローはんだ付け時間と温度の図

    sdfg

    部品番号指定

    fghgdf

    知らせ

    ■ 新しく購入した部品の保管期間が6ヶ月を超えた場合は、使用前に溶接性に注意してください。真空パックでの保管をお勧めします。
    ■ 基板上のホットホールをドリルで開け、はんだを充填します。
    ■ 底面溶接にはリフロー溶接が推奨されます。リフロー溶接の概要については、そちらを参照してください。
    ■ 図面の要件を満たすためには、十分な大きさのラジエーターを設置する必要があります。
    ■必要に応じて、空冷または水冷を追加してください。
    ◆手順:
    ■ カスタム設計のRF減衰器、RF抵抗器、RF端子をご用意しております。
    ■ 図面の要件を満たすためには、十分な大きさのラジエーターを設置する必要があります。金属表面とラジエーターには、ごく薄い層の熱伝導グリースを塗布してください。
    ■必要に応じて、空冷または水冷を追加してください。


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