インセット同軸負荷は、同軸コネクタを使用して試験装置またはシステムに接続されます。一般的な同軸コネクタにはN型、SMA型などがあり、接続が容易でインピーダンスマッチングが良好なことが特徴です。内蔵同軸負荷の中心部分は負荷要素であり、回路内の電力の吸収と分散を担当します。負荷コンポーネントには通常、一定量の電力に耐えて熱に変換できる高精度の抵抗器が使用されます。また、インセット同軸負荷には放熱構造が採用されており、負荷部品から発生する熱を効果的に放熱し、負荷の長期安定動作を実現します。一般的な放熱構造。
高精度の負荷コンポーネントと放熱構造を使用しているため、インセット同軸負荷は、通常数ワットから数十ワットの範囲で動作する高電力レベルに耐えることができます。インセット同軸負荷は、低周波から高周波までの広い範囲をカバーでき、さまざまな周波数帯域での RF 回路およびシステムのテストおよびデバッグに適しています。インセット同軸負荷は慎重に設計、製造されており、安定性と信頼性が高く、長期間安定して動作し、テストデータの精度を保証します。同時に、インセットロードは通常、機器に統合して組み立てる必要があるため、設計時に小型で軽量であるという利点があります。
インセット同軸負荷は、RF 回路およびシステムのテストとデバッグにおいて重要な役割を果たします。テスト対象の回路やシステムに接続することで、実際の動作条件下で負荷をシミュレートし、回路やシステムの性能を評価し、エンジニアのトラブルシューティングや設計の最適化を支援します。したがって、インセット同軸負荷は、通信、無線、レーダー、衛星などの分野の研究および生産プロセスで広く使用されています。
RFTRFTYT DC-18GHz RF インセット終端 | |||||
力 | コネクタタイプ | インピーダンス(Ω) | VSWR最大 | 周波数範囲とデータシートMタイプ | 周波数範囲とデータシートFタイプ |
7W | SMP | 50Ω | 1.35 | 18G-Mタイプ | 18G-F型 |
10W | SMA | 50Ω | 1.30 | 3G 4G 6G 8G 12.4G 18G | 3G 4G 6G 8G 12.4G 18G |
N | 50Ω | 1.35 | 3G 4G 6G 8G 12.4G 18G | 3G 4G 6G 8G 12.4G 18G | |
20W | SMA | 50Ω | 1.25 | 3G 4G 6G 8G 12.4G 18G | 3G 4G 6G 8G 12.4G 18G |
N | 50Ω | 1.30 | 3G 4G 6G 8G 12.4G 18G | 3G 4G 6G 8G 12.4G 18G | |
30W | SMA | 50Ω | 1.40 | 3G 4G 6G 8G 12.4G 18G | 3G 4G 6G 8G 12.4G 18G |
N | 50Ω | 1.40 | 3G 4G 6G 8G 12.4G 18G | 3G 4G 6G 8G 12.4G 18G | |
50W | SMA | 50Ω | 1.40 | 3G 4G 6G 8G 12.4G 18G | 3G 4G 6G 8G 12.4G 18G |
N | 50Ω | 1.40 | 3G 4G 6G 8G 12.4G 18G | 3G 4G 6G 8G 12.4G 18G | |
100W | SMA | 50Ω | 1.40 | 3G 4G 6G 8G 12.4G 18G | 3G 4G 6G 8G 12.4G 18G |
N | 50Ω | 1.40 | 3G 4G 6G 8G 12.4G 18G | 3G 4G 6G 8G 12.4G 18G | |
150W | N | 50Ω | 1.40 | 3G 4G 6G 8G 12.4G 18G | 3G 4G 6G 8G 12.4G 18G |
200W | N | 50Ω | 1.40 | 3G 4G 6G 8G | 3G 4G 6G 8G |
250W | N | 50Ω | 1.40 | 3G 4G 6G 8G | 3G 4G 6G 8G |
300W | N | 50Ω | 1.40 | 3G 4G 6G 8G | 3G 4G 6G 8G |