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リード終了

リード終端は、回路の端に設置された抵抗器であり、回路に送信された信号を吸収し、信号反射を防ぎ、回路システムの伝送品質に影響します。溶接により回路の端に設置されています。主な目的は、回路の端に送信される信号波を吸収し、信号反射が回路に影響を与えるのを防ぎ、回路システムの伝送品質を確保することです。


  • 主な技術仕様:
  • 定格電力:5-800W
  • 基板材料:beo
  • 公称抵抗値:50Ω
  • 耐性耐性:±5%±2%、±1%
  • Emperature係数:<150ppm/℃
  • 操作温度:-55~+150℃
  • ROHS標準:準拠
  • リードの長さ:lデータシートで指定されています
  • リクエストに応じて利用可能なカスタムデザイン。
  • 製品の詳細

    製品タグ

    リード終了

    リード終了
    主な技術仕様:
    定格電力:5-800W
    基質材料:Beo、aln、al2O3
    公称抵抗値:50Ω
    耐性耐性:±5%±2%±1%
    Emperature係数:<150ppm/℃
    操作温度:-55~+150℃
    ROHS標準:準拠
    該当する標準:Q/RFTYTR001-2022
    リードの長さ:データシートで指定されているL
    (顧客の要件に応じてカスタマイズできます)

    定格1
    (w) 頻度 寸法(単位:mm) 基板材料 データシート(PDF)
    A B H G W L
    5W 6GHz 4.0 4.0 1.0 1.6 1.0 3.0 Al2O3     RFT50A-05TM0404
    11ghz 1.27 2.54 0.5 1.0 0.8 3.0 aln     RFT50N-05TJ1225
    10W 4GHz 2.5 5.0 1.0 1.9 1.0 4.0 beo     RFT50-10TM2550
    6GHz 4.0 4.0 1.0 1.6 1.0 3.0 Al2O3      RFT50A-10TM0404
    8GHz 4.0 4.0 1.0 1.6 1.0 3.0 beo     RFT50-10TM0404
    10GHz 5.0 3.5 1.0 1.9 1.0 3.0 beo     RFT50-10TM5035
    18ghz 5.0 2.5 1.0 1.8 1.0 3.0 beo     RFT50-10TM5023
    20W 4GHz 2.5 5.0 1.0 1.9 1.0 4.0 beo     RFT50-20TM2550
    6GHz 4.0 4.0 1.0 1.6 1.0 3.0 Al2O3      RFT50N-20TJ0404
    8GHz 4.0 4.0 1.0 1.6 1.0 3.0 beo     RFT50-20TM0404
    10GHz 5.0 3.5 1.0 1.9 1.0 3.0 beo     RFT50-20TM5035
    18ghz 5.0 2.5 1.0 1.8 1.0 3.0 beo     RFT50-20TM5023
    30W 6GHz 6.0 6.0 1.0 1.8 1.0 5.0 aln     RFT50N-30TJ0606
    6.0 6.0 1.0 1.8 1.0 5.0 beo     RFT50-30TM0606
    60W 6GHz 6.0 6.0 1.0 1.8 1.0 5.0 aln     RFT50N-60TJ0606
    6.0 6.0 1.0 1.8 1.0 5.0 beo     RFT50-60TM0606
    6.35 6.35 1.0 1.8 1.0 5.0 beo     RFT50-60TJ6363
    100W 3GHz 6.35 9.5 1.0 1.6 1.4 5.0 aln     RFT50N-100TJ6395
    8.9 5.7 1.0 1.6 1.0 5.0 aln     RFT50N-100TJ8957
    9.5 9.5 1.0 1.6 1.4 5.0 beo     RFT50-100TJ9595
    4GHz 10.0 10.0 1.0 1.8 1.4 5.0 beo     RFT50-100TJ1010
    6GHz 6.35 6.35 1.0 1.8 1.0 5.0 beo     RFT50-100TJ6363
    8.9 5.7 1.0 1.6 1.0 5.0 aln     RFT50N-100TJ8957B
         
    8GHz 9.0 6.0 1.5 2.0 1.0 5.0 beo     RFT50-100TJ0906C
    150W 3GHz 6.35 9.5 1.0 1.6 1.4 5.0 aln     RFT50N-150TJ6395
    9.5 9.5 1.0 1.6 1.4 5.0 beo     RFT50-150TJ9595
    4GHz 10.0 10.0 1.0 1.8 1.4 5.0 beo     RFT50-150TJ1010
    6GHz 10.0 10.0 1.0 1.8 1.4 5.0 beo     RFT50-150TJ1010B
    200W 3GHz 9.5 9.5 1.0 1.6 1.4 5.0 beo     RFT50-200TJ9595
     
    4GHz 10.0 10.0 1.0 1.8 1.4 5.0 beo     RFT50-200TJ1010
    10GHz 12.7 12.7 2.0 3.5 2.4 5.0 beo     RFT50-200TM1313B
    250W 3GHz 12.0 10.0 1.5 2.5 1.4 5.0 beo     RFT50-250TM1210
    10GHz 12.7 12.7 2.0 3.5 2.4 5.0 beo     RFT50-250TM1313B
    300W 3GHz 12.0 10.0 1.5 2.5 1.4 5.0 beo     RFT50-300TM1210
    10GHz 12.7 12.7 2.0 3.5 2.4 5.0 beo     RFT50-300TM1313B
    400W 2GHz 12.7 12.7 2.0 3.5 2.4 5.0 beo     RFT50-400TM1313
    500W 2GHz 12.7 12.7 2.0 3.5 2.4 5.0 beo     RFT50-500TM1313
    800W 1GHz 25.4 25.4 3.2 4 6 7 beo     RFT50-800TM2525

    概要

    リード終了は、抵抗、回路印刷、焼結を通じて、さまざまな周波数要件と電力要件に基づいて適切な基板サイズと材料を選択することにより行われます。一般的に使用される基質材料は、主に酸化ベリリウム、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、またはより良い熱散逸材料です。

    薄いフィルムプロセスと厚いフィルムプロセスに分割されたリード終了。特定の電力と周波数の要件に基づいて設計され、プロセスを通じて処理されます。特別なニーズがある場合は、営業担当者に連絡して、カスタマイズのための特定のソリューションを提供してください。


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