-
A2 RF可変減衰器 DC-6.0GHz RF減衰器
仕様 モデル周波数範囲 減衰 VSWR 挿入損失 減衰許容値 GHz & ステップ (最大) dB(最大) dB SMA N RKTXX-2-11-2.5-A2 DC-2.5 0-11dB 1.3 1.45 1 ±0.2＜1dB、±0.4≥1dB RKTXX-2-11-3.0-A2 DC-3.0 0.1dB ステップ 1.35 1.45 1.2 ±0.3＜1dB、±0.5≥1dB RKTXX-2-11-4.3-A2 DC-4.3 1.4 1.55 1.5 RKTXX-2-11-6.0-A2 DC-6.0 1.55 1.6 1.8 RKTXX-2-50-2.5-A2 DC-2.5 0-50dB 1.3 1.35 1 ±0.5(≤10dB) 1dBステップ ±3%(≤50dB) RKTXX-2-70-2.5-A2 DC-2.5 0-70dB 1.3 1.45 1 ±0.5(≤10dB) RKTXX-2-70-... -
RFTXX-30TA1432-10 スリーブ付きマイクロストリップ減衰器 DC～10.0 GHz RF減衰器
型番 RFTXX-30TA1432-10 (XX=減衰値) 抵抗範囲 50 Ω 周波数範囲 DC～10.0 GHz 電力 30 W 減衰量(dB) 01-10/11-20/21-30/40、50、60 減衰許容差(dB) ±0.5/±0.6/±1.0/±1.2 VSWR 1.25タイプ 1.3最大 温度係数 <150ppm/℃ 基板材料 BeO スリーブ材料 Al (導電性酸化物) 抵抗プロセス 厚膜 動作温度 -55～+125℃ (電力ディレーティングを参照) RoHS準拠 はい 外形図 (単位: mm/インチ) ... -
RFTXX-20TA1419-10 スリーブ付きマイクロストリップ減衰器 DC～10.0 GHz RF減衰器
型番 RFTXX-20TA1419-10 (XX=減衰値) 抵抗範囲 50 Ω 周波数範囲 DC～10.0 GHz 電力 20 W 減衰量(dB) 01-10/11-20/21-30/40、50 減衰許容差(dB) ±0.5/±0.6/±1.0/±1.2 VSWR 1.25タイプ 1.3最大 温度係数 <150ppm/℃ 基板材料 BeO スリーブ材料 Al (導電性酸化物) 抵抗プロセス 厚膜 動作温度 -55～+125℃ (電力ディレーティングを参照) RoHS準拠 はい 外形図 (単位: mm/インチ) ... -
RFTXX-30MA1132-10 マイクロストリップ減衰器 DC～18GHz RF減衰器
型番 RFTXX-30MA1132-18 (XX=減衰値) 公称抵抗 50 Ω 周波数範囲 DC~18GHz 定格電力 30 W 減衰量 01-10dB/11-20dB/21-30dB 減衰許容差 ±0.5dB/±0.6dB/±1.0dB VSWR 1.25タイプ 1.30最大 温度係数 <150ppm/℃ 基板材料 BeO 抵抗プロセス 厚膜 動作温度 -55～+150℃ (参考電力ディレーティング図) 外形図 (単位: mm/インチ) 注: 1.お客様のご要望に応じて、... -
RFTXX-20MA5422-18 マイクロストリップ減衰器 DC～18GHz RF減衰器
型番 RFTXX-20MA5422-18 (XX=減衰値) 公称抵抗 50 Ω 周波数範囲 DC~18GHz 定格電力 20 W 減衰量 01-10dB/11-20dB/21-30dB/35、40、50、60dB 減衰許容差 ±0.5dB/±0.6dB/±1.0dB/±1.5dB VSWR 1.25タイプ 1.3最大 温度係数 <150ppm/℃ 基板材料 BeO 抵抗プロセス 厚膜 動作温度 -55～+150℃ (参考電力ディレーティング図) 外形図 (単位: mm/インチ) 注: 1.お客様が必要とする場合、... -
RFTXX-10MA5410-18 マイクロストリップ減衰器 DC～18GHz RF減衰器
型番 RFTXX-10MA5410-18 (XX=減衰値) 公称抵抗 50 Ω 周波数範囲 DC~18GHz 定格電力 10 W 減衰量 01-10dB/11-20dB/21-30dB 減衰許容差 ±0.5dB/±0.6dB/±1.0dB VSWR 1.25タイプ 1.3最大 温度係数 <150ppm/℃ 基板材料 BeO 抵抗プロセス 厚膜 動作温度 -55～+150℃ (参考電力ディレーティング図) 外形図 (単位: mm/インチ) 注: 1.お客様のご要望に応じて、... -
RFTXX-50RA3810-N-18 同軸固定アッテネータ DC～18.0GHz RFアッテネータ
型番 RFTXX-50RA3810-N-18 (XX=減衰器値) 周波数範囲 DC~18.0GHz VSWR 1.40 最大電力 50 W インピーダンス 50 Ω 減衰量 3、6、10、20、30、40dB 減衰許容値 -1.5dB/+2.5dB コネクタ NJ(M)/NK(F) 寸法 Φ38×136.5mm 動作温度 -55 ~ +125°C (電力ディレーティングを参照) 重量 約220 g ROHS準拠 はい リフロープロファイル コネクタはSMA、N MM、FFのいずれか、または2つを自由に組み合わせることができます 命名規則 電力ディレーティング 減衰器値の使用... -
RFTXX-50FA5070B-SMA-6 同軸固定アッテネータ DC～6.0GHz RFアッテネータ
型番 RFTXX-50FA5070B-SMA-6 (XX=減衰器値) 周波数範囲 DC~6.0GHz VSWR 1.20 最大電力 50 W インピーダンス 50 Ω 減衰量 01-10dB/11-20dB/25、30、40dB/50、60dB 減衰許容値 ±0.6dB/±0.8dB/±1.0dB/±1.2dB コネクタ SMA-J(M)/SMA-K(F) 寸法 50.0×101.0×40.0mm 動作温度 -55 ~ +125°C (電力ディレーティングを参照) 重量 約300 g ROHS準拠 はい リフロープロファイル コネクタはDIN、4.3-10 MM、FFのいずれか、または2つを自由に組み合わせることができます。 -
RFTXX-50FA5070-N-6 同軸固定減衰器 DC～6.0GHz RF減衰器
型番 RFTXX-50FA5070-N-6 (XX=減衰器値) 周波数範囲 DC~6.0GHz VSWR 1.20 最大電力 50 W インピーダンス 50 Ω 減衰量 01-10dB/11-20dB/21-40dB/50、60dB 減衰許容値 ±0.6dB/±0.8dB/±1.0dB/±1.2dB コネクタ NJ(M)/NK(F) 寸法 50.0×109.4×40.0mm 動作温度 -55 ~ +125°C (電力ディレーティングを参照) 重量 約180 g ROHS準拠 はい リフロープロファイル コネクタはN MMまたはFFのいずれかです 命名規則 電力ディレーティング 使用上の注意 1、寸法 T... -
RFTXX-60AM1363C-3 フランジ付き減衰器 DC～3.0GHz RF減衰器
型番 RFTXX-60AM1363C-3 (XX=減衰値) インピーダンス 50 Ω 周波数範囲 DC~3.0GHz VSWR 1.25 最大 定格電力 60 W 減衰値(dB) 01、02、03、04、08/16/20 減衰許容値(dB) ±0.6/±0.8/±1.0 温度係数 <150ppm/℃ 基板材料 BeO 磁器 ハット材料 Al2O3 フランジ ニッケルメッキ銅 鉛 99.99% スターリングシルバー 抵抗技術 厚膜 動作温度 -55 ～ +150°C (電力ディレーティングを参照) 外形図 (Un... -
RFT20N-60AM1663-6 フランジ付き減衰器 DC～6.0GHz RF減衰器
型番 RFT20N-60AM1663-6 (XX=減衰値) インピーダンス 50 Ω 周波数範囲 DC~6.0GHz VSWR 1.25 最大 定格電力 60 W 減衰値(dB) 20 減衰許容値(dB) ±0.8 温度係数 <150ppm/℃ 基板材料 AlN 磁器 ハット材料 Al2O3 フランジ ニッケルメッキ銅 リード 99.99% スターリングシルバー 抵抗技術 厚膜 動作温度 -55 ～ +150℃ (電力ディレーティングを参照) 外形図 (単位: mm/インチ) リード長 約... -
RFTXX-60AM1606-6 フランジ付き減衰器 DC～6.0GHz RF減衰器
型番 RFTXX-60AM1606-6 (XX=減衰値) インピーダンス 50 Ω 周波数範囲 DC~6.0GHz VSWR 最大 1.25 定格電力 60 W 減衰値(dB) 1-10/15、20/25、30 減衰許容値(dB) ±0.6/±0.8/±1.0 温度係数 <150ppm/℃ 基板材料 BeO 磁器 ハット材料 Al2O3 フランジ ニッケルメッキ銅 鉛 99.99% スターリングシルバー 抵抗技術 厚膜 動作温度 -55 ～ +150℃ (電力ディレーティングを参照) 外形図 (単位: mm/...
