-
RFTXX-30CR6363C チップ抵抗器 RF抵抗器
型番 RFTXX-30CR6363C 電力 30W 抵抗 XX Ω (10~3000Ω カスタマイズ可能) 抵抗許容差 ±5% 温度係数 <150ppm/℃ 基板 BeO 抵抗素子 厚膜 動作温度 -55 ～ +150℃ (電力ディレーティングを参照) 推奨実装手順 電力ディレーティング リフロープロファイル 部品番号 指定 使用上の注意 ■ 新しく購入した部品の保管期間が 6 か月を超えた場合は、使用前に溶接性に注意してください。推奨... -
RFTXX-30CR2550W チップ抵抗器 RF抵抗器
型番 RFTXX-30CR2550W 電力 30 W 抵抗 XX Ω (10~3000Ω カスタマイズ可能) 抵抗許容差 ±5% 温度係数 <150ppm/℃ 基板 BeO 抵抗素子 厚膜 動作温度 -55 ～ +150℃ (電力ディレーティングを参照) 推奨実装手順 電力ディレーティング リフロープロファイル 部品番号 使用上の注意 ■ 新しく購入した部品の保管期間が 6 か月を超えた場合は、使用前に溶接性に注意してください。推奨... -
RFTXX-30CR2550TA チップ抵抗器 RF抵抗器
型番 RFTXX-30CR2550TA 電力 30W 抵抗 XX Ω (10~3000Ω カスタマイズ可能) 抵抗許容差 ±5% 温度係数 <150ppm/℃ 基板 BeO 抵抗素子 厚膜 動作温度 -55 ～ +150℃ (電力ディレーティングを参照) 推奨実装手順 電力ディレーティング リフロープロファイル 部品番号 指定 使用上の注意 ■ 新しく購入した部品の保管期間が 6 か月を超えた場合は、使用前に溶接性に注意してください。推奨... -
RFTXX-30RM2006 フランジ付き抵抗器 RF抵抗器
型番 RFTXX-30RM2006 電力 30 W 抵抗 XX Ω (10~2000Ω カスタマイズ可能) 抵抗許容差 ±5% 静電容量 2.6 PF@100Ω 温度係数 <150ppm/℃ 基板 BeO カバー AL2O3 取付フランジ 真鍮 リード 99.99% 純銀 抵抗素子 厚膜 動作温度 -55 ～ +150℃ (電力ディレーティングを参照) 外形図 (単位: mm) リード線の長さはお客様のご要望に応じて調整可能です サイズ許容差: 特に指定がない限り 5% 推奨... -
RFTXX-30RM1306 RF抵抗器
型番 RFTXX-30RM1306 電力 30 W 抵抗 XX Ω (10~2000Ω カスタマイズ可能) 抵抗許容差 ±5% 静電容量 2.6 PF@100Ω 温度係数 <150ppm/℃ 基板 BeO カバー AL2O3 取付フランジ 真鍮 リード 99.99% 純銀 抵抗素子 厚膜 動作温度 -55 ～ +150℃ (電力ディレーティングを参照) 外形図 (単位: mm) リード線の長さはお客様のご要望に応じて調整可能です サイズ許容差: 特に指定がない限り 5% 推奨... -
デュアルジャンクションアイソレータ
デュアルジャンクションアイソレータは、マイクロ波およびミリ波周波数帯でアンテナ端からの逆信号を分離するために一般的に使用される受動デバイスです。これは、2 つのアイソレータの構造で構成されています。挿入損失とアイソレーションは、通常、シングルアイソレータの 2 倍です。シングルアイソレータのアイソレーションが 20dB の場合、デュアルジャンクションアイソレータのアイソレーションは 40dB になることがよくあります。ポート VSWR はあまり変化しません。システムでは、無線周波数信号が入力ポートから最初のリングジャンクションに送信されるとき、最初のリングジャンクションの一端に無線周波数抵抗が装備されているため、その信号は 2 番目のリングジャンクションの入力端にのみ送信されます。2 番目のループジャンクションは最初のループジャンクションと同じで、RF 抵抗が取り付けられており、信号は出力ポートに渡され、そのアイソレーションは 2 つのループジャンクションのアイソレーションの合計になります。出力ポートから戻ってくる逆信号は、2 番目のリングジャンクションの RF 抵抗によって吸収されます。このようにして、入力ポートと出力ポート間の高いレベルの分離が実現され、システム内の反射や干渉が効果的に低減される。
周波数範囲10MHz～40GHz、最大出力500W。
軍事、宇宙、商業用途。
低挿入損失、高アイソレーション、高電力処理能力。
ご要望に応じてカスタムデザインも承ります。
-
SMT/SMDアイソレーター
SMDアイソレータは、PCB（プリント回路基板）にパッケージングおよび実装するために使用される絶縁デバイスです。通信システム、マイクロ波機器、無線機器、その他の分野で広く使用されています。SMDアイソレータは小型軽量で、実装が容易なため、高密度集積回路アプリケーションに適しています。以下では、SMDアイソレータの特性とアプリケーションについて詳しく説明します。まず、SMDアイソレータは、広い周波数帯域をカバーできます。通常、400MHz～18GHzなどの広い周波数範囲をカバーし、さまざまなアプリケーションの周波数要件を満たします。この広い周波数帯域カバー能力により、SMDアイソレータは、複数のアプリケーションシナリオで優れた性能を発揮します。
周波数範囲：200MHz～15GHz。
軍事、宇宙、商業用途。
低挿入損失、高アイソレーション、高電力処理能力。
ご要望に応じてカスタムデザインも承ります。
-
RFTXX-20RM0904 RF抵抗器
型番 RFTXX-20RM0904 電力 20 W 抵抗 XX Ω (10~3000Ω カスタマイズ可能) 抵抗許容差 ±5% 静電容量 1.2 PF@100Ω 温度係数 <150ppm/℃ 基板 BeO カバー AL2O3 取付フランジ 真鍮 リード 99.99% 純銀 抵抗素子 厚膜 動作温度 -55 ～ +150℃ (電力ディレーティングを参照) 外形図 (単位: mm) リード線の長さはお客様のご要望に応じて調整可能です サイズ許容差: 特に明記されていない限り 5% 推奨... -
マイクロストリップアイソレータ
マイクロストリップアイソレータは、RFおよびマイクロ波回路における信号伝送と絶縁に一般的に使用されるデバイスです。回転する磁性フェライト上に薄膜技術を用いて回路を形成し、磁場を加えることで絶縁を実現します。マイクロストリップアイソレータの設置は、一般的に銅ストリップの手動はんだ付けまたは金ワイヤボンディング方式で行われます。マイクロストリップアイソレータの構造は、同軸アイソレータや埋め込み型アイソレータに比べて非常にシンプルです。最も大きな違いは、空洞がないことです。マイクロストリップアイソレータの導体は、薄膜プロセス（真空スパッタリング）を用いて回転フェライト上に設計されたパターンを形成することで作られます。電気めっき後、生成された導体は回転フェライト基板に取り付けられます。パターン上に絶縁媒体の層を取り付け、媒体上に磁場を固定します。このようなシンプルな構造で、マイクロストリップアイソレータが製造されます。
周波数範囲：2.7～43GHz
軍事、宇宙、商業用途。
低挿入損失、高アイソレーション、高電力処理能力。
ご要望に応じてカスタムデザインも承ります。
-
CT-50W-FH6080-IP65-DINJ-3G DC～3.0GHz 低相互変調終端
モデル CT-50W-FH6080-IP65-DINJ-3G 周波数範囲 DC~3.0GHz VSWR 1.20 最大 PIM3 ≥120dBc@2*33dBm 電力 50W インピーダンス 50Ω コネクタタイプ DIN-M (J) 防水等級 IP65 寸法 60×60×80mm 動作温度 -55 ~ +125°C (電力ディレーティングを参照) 色 黒 重量 約410g 使用上の注意 電力ディレーティング P/N 指定 -
RFTXX-20RM1304 RF抵抗器
型番 RFTXX-20RM1304 電力 20 W 抵抗 XX Ω (10~3000Ω カスタマイズ可能) 抵抗許容差 ±5% 静電容量 1.2 PF@100Ω 温度係数 <150ppm/℃ 基板 BeO カバー AL2O3 取付フランジ 真鍮 リード 99.99% 純銀 抵抗素子 厚膜 動作温度 -55 ～ +150℃ (電力ディレーティングを参照) 外形図 (単位: mm) リード線の長さはお客様のご要望に応じて調整可能です サイズ許容差: 特に明記されていない限り 5% 推奨... -
