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フランジ付き終端
フランジ端子は回路の終端に設置され、回路を伝送する信号を吸収し、信号の反射を防ぐことで、回路システムの伝送品質に影響を与えます。フランジ端子は、シングルリード端子抵抗器をフランジとパッチに溶接して組み立てられます。フランジのサイズは通常、取り付け穴と端子抵抗の寸法の組み合わせに基づいて設計されます。お客様の使用要件に応じてカスタマイズすることも可能です。
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RFTXXN-100AJ8957-3 リード付きアッテネータ DC～3.0GHz RFアッテネータ
型番 RFTXXN-100AJ8957-3 (XX=減衰値) インピーダンス 50 Ω 周波数範囲 DC~3.0GHz VSWR 1.20 最大 定格電力 100 W 減衰値 13、20、30dB 減衰許容値 ±1.0dB 温度係数 <150ppm/℃ 基板材料 AlN 磁器 ハット材料 中鉛 99.99% スターリングシルバー 抵抗技術 厚膜 動作温度 -55 ～ +150℃ (電力ディレーティングを参照) 外形図 (単位: mm/インチ) リード線の長さは、仕様に応じてカスタマイズ可能です。 -
マイクロストリップ減衰器
マイクロストリップ減衰器は、マイクロ波周波数帯域内で信号減衰の役割を果たすデバイスです。これを固定減衰器として用いることで、マイクロ波通信、レーダーシステム、衛星通信などの分野で広く利用され、回路に制御可能な信号減衰機能を提供します。マイクロストリップ減衰器チップは、一般的に使用されるパッチ減衰チップとは異なり、入力から出力までの信号減衰を実現するために、同軸接続を使用して特定のサイズのエアフードに組み立てる必要があります。
ご要望に応じてカスタムデザインも承ります。
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RFT20N-60AM6363-6 リード付きアッテネータ DC～6.0GHz RFアッテネータ
型番 RFT20N-60AM6363-6 (XX=減衰値) インピーダンス 50 Ω 周波数範囲 DC~6.0GHz VSWR 最大 1.25 定格電力 60 W 減衰値 20dB 減衰許容値 ±0.8 dB 温度係数 <150ppm/℃ 基板材料 AlN 磁器 ハット材料 Al2O3 リード 99.99% スターリングシルバー 抵抗技術 厚膜 動作温度 -55 ～ +150℃ (電力ディレーティングを参照) 外形図 (単位: mm/インチ) リードの長さはお客様のご要望に応じてカスタマイズ可能です... -
RFTXX-60AM6363B-3 リード付きアッテネータ DC～3.0GHz RFアッテネータ
型番 RFTXX-60AM6363B-3 (XX=減衰値) インピーダンス 50 Ω 周波数範囲 DC~3.0GHz VSWR 最大 1.25 定格電力 60 W 減衰値 01-10dB/16dB/20dB 減衰許容値 ±0.6dB/±0.8dB/±1.0dB 温度係数 <150ppm/℃ 基板材料 BeO 磁器 ハット材料 Al2O3 鉛 99.99% スターリングシルバー 抵抗技術 厚膜 動作温度 -55 ～ +150℃ (電力ディレーティングを参照) 外形図 (単位: mm/インチ) リード線の長さは cu... -
RFTXXA-05AM0404-3 リード付きアッテネータ DC～3.0GHz RFアッテネータ
型番 RFTXXA-05AM0404-3 (XX=減衰値) インピーダンス 50 Ω 周波数範囲 DC~3.0GHz VSWR 最大 1.20 定格電力 5 W 減衰値(dB) 01-10/15、17、20/25、30 減衰許容値(dB) ±0.6/±0.8/±1.0 温度係数 <150ppm/℃ 基板材料 Al2O3 磁器 ハット材料 Al2O3 鉛 99.99% スターリングシルバー 抵抗技術 厚膜 動作温度 -55 ～ +150℃ (電力ディレーティングを参照) 外形図 (単位: mm/インチ) リード長 ... -
マイクロストリップサーキュレーター
マイクロストリップサーキュレータは、回路における信号伝送および絶縁に用いられる一般的なRFマイクロ波デバイスです。薄膜技術を用いて回転する磁性フェライト上に回路を形成し、磁場を加えることで実現します。マイクロストリップ環状デバイスの設置は、一般的に手作業によるはんだ付け、または銅ストリップとの金線ボンディングによって行われます。マイクロストリップサーキュレータの構造は、同軸サーキュレータや埋め込みサーキュレータに比べて非常にシンプルです。最も顕著な違いは、空洞がないことです。マイクロストリップサーキュレータの導体は、薄膜プロセス（真空スパッタリング）を用いて回転フェライト上に設計されたパターンを形成することで作られます。電気めっき後、生成された導体は回転フェライト基板に取り付けられます。パターン上に絶縁媒体の層を取り付け、媒体上に磁場を固定します。このようなシンプルな構造で、マイクロストリップサーキュレータが製造されます。
周波数範囲：2.7～40GHz。
軍事、宇宙、商業用途。
低挿入損失、高アイソレーション、高電力処理能力。
ご要望に応じてカスタムデザインも承ります。
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ブロードバンドサーキュレーター
ブロードバンドサーキュレータは、RF通信システムにおいて重要な構成要素であり、さまざまな用途に適した数々の利点を提供します。これらのサーキュレータはブロードバンドカバレッジを提供し、広い周波数範囲で効果的なパフォーマンスを保証します。信号を分離する能力により、帯域外信号からの干渉を防ぎ、帯域内信号の完全性を維持できます。ブロードバンドサーキュレータの主な利点の1つは、優れた高アイソレーション性能です。同時に、これらのリング状のデバイスはポート定在波特性が良好で、反射信号を低減し、安定した信号伝送を維持します。
周波数範囲：56MHz～40GHz、帯域幅：最大13.5GHz。
軍事、宇宙、商業用途。
低挿入損失、高アイソレーション、高電力処理能力。
ご要望に応じてカスタムデザインも承ります。
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RFTXX-60CA6363B-3 チップアッテネータ DC～3.0GHz RFアッテネータ
型番 RFTXX-60CA6363B-3 (XX=減衰値) 抵抗範囲 50 Ω 周波数範囲 DC～3.0GHz VSWR 1.25 最大 電力 60 W 減衰値(dB) 01-10dB/11-20dB/21-30dB 減衰許容値(dB) ±0.6dB/±0.8dB/±1.0dB 温度係数 <150ppm/℃ 基板材料 BeO 抵抗技術 厚膜 動作温度 -55～+150℃ (電力ディレーティングを参照) 設置方法 電力ディレーティング リフローはんだ付け時間と温度図 P/N 指定 ... -
RFTXXN-20CA5025C-3 チップアッテネータ DC～3.0GHz RFアッテネータ
型番 RFTXXN-20CA5025C-3 (XX=減衰値) 抵抗範囲 50 Ω 周波数範囲 DC～3.0GHz VSWR 1.25 最大 電力 20 W 減衰値(dB) 01-10dB/11-20dB/21-30dB 減衰許容値(dB) ±0.6dB/±0.8dB/±1.0dB 温度係数 <150ppm/℃ 基板材料 AlN 抵抗技術 厚膜 動作温度 -55～+150℃ (電力ディレーティングを参照) 標準性能: 2dBグラフ 20dBグラフ 6dBグラフ 30dBグラフ 設置方法... -
RFTXXN-10CA5025C-6 チップアッテネータ DC～6.0GHz RFアッテネータ
型番 RFTXXN-10CA5025C-6 (XX=減衰値) 抵抗範囲 50 Ω 周波数範囲 DC～6.0GHz VSWR 1.25 最大 電力 10 W 減衰値(dB) 01-10dB/11-20dB 減衰許容値(dB) ±0.6dB/±0.8dB 温度係数 <150ppm/℃ 基板材料 AlN 抵抗技術 厚膜 動作温度 -55～+150℃ (電力ディレーティングを参照) 標準性能: 6dBグラフ 20dBグラフ 設置方法 電力ディレーティング リフローはんだ付け時間 & ... -
RFTXX-250RM1313K リード付き抵抗器 RF抵抗器
型番 RFTXX-250RM1313K 電力 250 W 抵抗 XX Ω~ (10-1000Ω カスタマイズ可能) 抵抗許容差 ±5% 静電容量 2.0 PF@100Ω 温度係数 <150ppm/℃ 基板 BeO カバー AL2O3 リード 銅 銀メッキ 抵抗素子 厚膜 動作温度 -55 ～ +150℃ (電力ディレーティングを参照) 推奨実装手順 電力ディレーティング リフロープロファイル P/N 指定 使用上の注意 ■ 新しく購入した部品の保管期間が 6 か月を超えた後...
