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フランジ付き終了
フランジ付き終端は、回路の端に設置され、回路に送信された信号を吸収し、信号反射を防止し、回路システムの伝送品質に影響します。フランジ付き端子は、フランジとパッチを備えた単一の鉛ターミナル抵抗器を溶接することで組み立てられます。フランジサイズは通常、設置穴とターミナル抵抗の寸法の組み合わせに基づいて設計されています。カスタマイズは、顧客の使用要件に応じて行うこともできます。
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RFTXXN-100AJ8957-3リードアッテニューターDC〜3.0GHz RF減衰器をリードしました
モデルRFTXXN-100AJ8957-3（XX =減衰値）インピーダンス50Ω周波数範囲DC〜3.0GHz VSWR 1.20最大定格パワー100 W減衰値13、20、30dB減衰耐性±1.0dB温度係数<150PPM/ -55〜 +150°C（de power de -ratingを参照）アウトライン図面（ユニット：mm/インチ）リード長さはカスタマイズできます... -
マイクロストリップ減衰器
マイクロストリップ減衰器は、マイクロ波周波数帯域内の信号減衰に役割を果たすデバイスです。固定減衰器にすることは、マイクロ波通信、レーダーシステム、衛星通信などのフィールドで広く使用されており、回路の制御可能な信号減衰関数を提供します。
リクエストに応じて利用可能なカスタムデザイン。
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RFT20N-60AM6363-6リードアッテニュエーターDC〜6.0GHz RF減衰器
モデルRFT20N-60AM6363-6（XX =減衰値）インピーダンス50Ω周波数範囲DC〜6.0GHz VSWR 1.25最大定格電力60 W減衰値20dB減衰耐性±0.8 dB温度係数<150ppm/℃基質film9％ -55〜 +150°C（de power de -ratingを参照）アウトライン図面（ユニット：mm/インチ）リード長は、拘留に応じてカスタマイズできます... -
RFTXX-60AM6363B-3は、減衰器DC〜3.0GHz RF減衰器をリードしました
モデルRFTXX-60AM6363B-3（XX =減衰値）インピーダンス50Ω周波数範囲DC〜3.0GHz VSWR 1.25最大定格電力60 W減衰値01-10dB/16DB/20DB減衰耐性±0.6DB/±0.8DB/±1.0DB温度補助金帽子材料AL2O3リード99.99％スターリングシルバーレジスタンステクノロジー厚いフィルム動作温度-55〜 +150°C（deパワー脱定格を参照）アウトライン図面（ユニット：mm/インチ）リード長さはCuです。 -
RFTXXA-05AM0404-3リードアッテニュエーターDC〜3.0GHz RF減衰器
モデルRFTXXA-05AM0404-3（XX =減衰値）インピーダンス50Ω周波数範囲DC〜3.0GHz VSWR 1.20最大定格パワー5 W減衰値（DB）01-10/15、17、20/25、30減衰寛容（DB）±0.6/±0.8/±0.8/±1.0温度材料a磁器の帽子材料AL2O3リード99.99％スターリングシルバーレジスタンステクノロジー厚いフィルム動作温度-55〜 +150°C（DEパワー脱定格を参照）アウトライン図面（ユニット：mm/インチ）リード長... -
マイクロストリップサーキュレーター
Microstrip Circulatorは、サーキットでの信号伝達と分離に使用される一般的に使用されるRFマイクロ波デバイスです。薄膜技術を使用して、回転する磁気フェライトの上に回路を作成し、磁場を追加して達成します。マイクロストリップ環状デバイスの設置は、一般に、銅ストリップを使用した手動のはんだ付けまたは金のワイヤー結合の方法を採用しています。マイクロストリップ循環器の構造は、同軸および埋め込まれた循環器と比較して非常に単純です。最も明らかな違いは、空洞がなく、マイクロストリップサーキュレーターの導体は、薄膜プロセス（真空スパッタリング）を使用して回転フェライトに設計されたパターンを作成することで作成されることです。電気めっき後、生成された導体は回転フェライト基板に付着します。グラフの上に絶縁培地の層を取り付け、培地に磁場を固定します。このような単純な構造により、マイクロストリップサーキュレーターが製造されています。
周波数範囲2.7〜40GHz。
軍事、スペース、商業用途。
低挿入損失、高い分離、高出力ハンドリング。
リクエストに応じて利用可能なカスタムデザイン。
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ブロードバンドサーキュレーター
ブロードバンドサーキュレーターは、RF通信システムの重要なコンポーネントであり、さまざまなアプリケーションに非常に適した一連の利点を提供します。これらの循環器はブロードバンドカバレッジを提供し、広い周波数範囲にわたって効果的なパフォーマンスを確保します。信号を分離する能力により、バンドシグナルからの干渉を防ぎ、バンド信号の整合性を維持できます。ブロードバンド循環器の主な利点の1つは、優れた高い分離パフォーマンスです。同時に、これらのリング型デバイスには良好なポートスタンディング波特性があり、反射信号を減らし、安定した信号伝達を維持します。
周波数範囲56MHz〜40GHz、BWまで13.5GHz。
軍事、スペース、商業用途。
低挿入損失、高い分離、高出力ハンドリング。
リクエストに応じて利用可能なカスタムデザイン。
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RFTXX-60CA6363B-3チップ減衰器DC〜3.0GHz RF減衰器
モデルRFTXX-60CA6363B-3（XX =減衰値）抵抗範囲50Ω周波数範囲DC〜3.0GHz VSWR 1.25 Max Power 60 W減衰値（DB）01-10DB/11-20DB/21-30dB減衰耐性（DB）±0.6DB/±0.8DB/±1.0DB/ <150ppm/℃基板材料耐性技術厚いフィルム動作温度-55〜 +150°C（de電源脱定格を参照）設置方法電力脱レートリフェー式はんだ付け時間と温度図P/N指定... -
RFTXXN-20CA5025C-3チップ減衰器DC〜3.0GHz RF減衰器
モデルRFTXXN-20CA5025C-3（XX =減衰値）抵抗範囲50Ω周波数範囲DC〜3.0GHz VSWR 1.25 Max Power 20 W減衰値（DB）01-10DB/11-20DB/21-30DB減衰耐性（DB）±0.6DB/±0.8DB/±1.0DB/±1.0DB <150ppm/℃基板材料ALN抵抗技術厚いフィルム動作温度-55〜 +150°C（de Power de -ratingを参照）典型的なパフォーマンス：2dbグラフ20dbグラフ6dbグラフ30dbグラフのインストール方法... -
RFTXXN-10CA5025C-6チップ減衰器DC〜6.0GHz RF減衰器
モデルRFTXXN-10CA5025C-6（XX =減衰値）抵抗範囲50Ω周波数範囲DC〜6.0GHz VSWR 1.25 Max Power 10 W減衰値（DB）01-10DB/11-20DB減衰耐性（DB）±0.6DB/±0.8DB温度材料テクノピック<動作温度-55〜 +150°C（de電源脱定格を参照）典型的なパフォーマンス：6dbグラフ20dbグラフのインストールメソッドパワー脱レートリフローはんだ付け時間＆... -
RFTXX-250RM1313Kリード抵抗RF抵抗器
モデルRFTXX-250RM1313Kパワー250 W抵抗XXΩ〜（10-1000Ωカスタマイズ可能）抵抗耐性±5％容量2.0 PF@100Ω温度係数<150ppm/℃基板カバーAL2O3鉛銅銀銀メッキの厚いフィルム厚empsive Power Power Power PowerレーティングリフロープロファイルP/N指定の使用注意■新しく購入したコンポーネントの保管期間後、6月を超える...
